- Компания «Эльбрус-2000» работает на рынке информационных технологий с 1994 года и предоставляет услуги в области...
- ru.wikipedia.org Эльбрус 2000Эльбру́с 2000 — российский микропроцессор с архитектурой VLIW, разработанный компанией МЦСТ. Задумывался как дальнейшее развитие архитектуры Эльбрус-3 в микропроцессорном...
- habr.com ru/companies/oleg-bunin/articles/584628/И 2 ГГц Эльбруса — это не 2 ГГц того же самого Интела, потому что Эльбрус умеет запускать на один такт до 50 инструкций.
- Эльбрус 2000 (или e2k; русский: Эльбрус 2000) - российский 512-разрядный VLIW-микропроцессор, разработанный Московским центром...
İngilizceden çevrildi
- youtube.com watchПриглашаем на конференцию Saint HighLoad++ 2024, которая пройдет 24 и 25 июня в Санкт-Петербурге!Программа, подробности и билеты по ссылке...22 bin görüntülemeYayınlandı4 Eki 2021
- igromania.ru article/5305/Pokorenie_vysot_po-…Судьба «Эльбрус-2000» была предрешена.
- ixbt.com cpu/e2k-spec.htmlПерспективный микропроцессор E2k (Эльбрус-2000), разрабатываемый российской компанией Эльбрус, получил широкую известность лишь недавно...
- ru.ruwiki.ru wiki/Эльбрус_2000Эльбрус 2000 (E2K) — российский микропроцессор с архитектурой VLIW, разработанный компанией МЦСТ.
- telegra.ph E2K-ot-istokov-do-nyuansov-Rossijskoj-…Архитектура Эльбрус 2000 представляет собой симметричную мультипроцессорную систему, которая имеет ряд преимуществ перед другими...
- fcenter.ru online/hardarticles/processors/15730-…Değerlendirme: 4,5 / 54,5 Рейтинг магазина в ЯндексеИменно поэтому «Эльбрус-2000» у вашего коллектива и не получился – необходимых знаний не было.
Эльбрус 2000
Российский микропроцессор
«Эльбрус 2000» (E2K) — российский микропроцессор с архитектурой VLIW, разработанный компанией МЦСТ.
Задумывался как дальнейшее развитие архитектуры «Эльбрус-3» в микропроцессорном исполнении. Использует технологию двоичной компиляции для совместимости с платформой x86.
Основные характеристики:
тактовая частота — 300 МГц;
пиковая производительность в зависимости от разрядности данных: 64 бита — 6,67 GIPS / 2,4 GFLOPS, 32 бита — 9,5 GIPS / 4,8 GFLOPS;
площадь кристалла — 189 мм²;
количество транзисторов — 75,8 млн;
размеры корпуса — 31×31×2,4 мм.
Производился с июня 2008 года на заводе TSMC в Тайване.